Ziel dieser Arbeit war, weitere metalloide Clusterverbindungen der 14. Gruppe zu synthetisieren. Dabei lag das Augenmerk vor allem auf Techniken, die dazu fhren, grere metalloide Cluster darzustellen. So sollten Wege zu metalloiden Clusterverbindungen erffnet werden, die eine entsprechende Gre erreichen, um als Modellverbindungen fr die Halbleiterindustrie, mit ihrer schnell voranschreitenden Miniaturisierung der Bauteilstrukturen und Schaltkreise, betrachtet zu werden zu knnen. Beispielsweise konnten durch die Disproportionierungsreaktion von Germanium(I)bromid die beiden bis dato grten metalloiden Germaniumcluster (THF)₆Li3Ge₁₄[Ge(SiMe₃)₃]₅ und (THF)₆Li₃Ge₁₄[Si(SiMe₃)₃]₅ synthetisiert werden, dessen Clusterkern ein fullerenartige Struktur aufweist. Auerdem sollten Untersuchungen zur Reaktivitt an bereits vorhanden metalloiden Clusterverbindungen durchgefhrt werden. Dabei sollte unter anderem die Mglichkeit untersucht werden, durch Aufbaureaktionen grere metalloide Clusterverbindungen darzustellen, zu isolieren und strukturell zu charakterisieren. So wurden mit dem metalloiden Cluster Ge₉[Si(SiMe₃)₃]₃- wurden erstmals Folgereaktionen im Bereich der metalloiden Germaniumcluster durchgefhrt. So bildeten sich mit den bergangsmetallfragmenten Cr(CO)₅ und Cr(CO)₃ die Verbindungen [Ge₉[Si(SiMe₃)₃]₃Cr(CO)₅]- und [Ge₉ [Si(SiMe₃)₃]₃Cr(CO)₃]- , bei denen der elektronische Einflu der bergangsmetalle auf den Germaniumclusterkern deutlich gemacht werden konnte. Die Anwesenheit des Chromatoms in den Clustern vernderte die chemischen Eigenschaften nachweislich. So konnten in Gasphasenuntersuchungen bei der Abbaureaktion der Cluster eine C–H-Aktivierung beobachtet werden, die vollkommen neue Reaktionskanle erffnete und mglicherweise als Modellsystem von bergangsmetallkatalysierten C–H-Aktivierungen auf Germaniumoberflchen dienen kann. Des Weiteren gelang die Verknpfung von zwei Ge₉[Si(SiMe₃)₃]₃- Moleklen durch die bergangsmetalle der 10. Gruppe (M = Cu, Ag, Au) zu [MGe₁₈[Si(SiMe₃)₃]₆]- Anionen. Quantenchemische Rechnungen zeigen, da die beiden Ge₉-Einheiten auch elektronisch ber die bergangsmetalle miteinander korrespondieren, so da die Mglichkeit besteht, durch weitere Umsetzung mit bergangsmetallen eine Endloskette von [MGe₉]-Einheiten zu erhalten, die als eindimensionale Leiter beschreibbar wre. Somit konnte auch hier durch den Einsatz von bergangsmetallen eine Clustererweiterung erreicht werden.