Im Rahmen dieser Dissertation wird eine Halbleiter-Speicherschicht entwickelt, fr die C60 Fulleren Molekle in Dielektrika eingebettet werden. Die Molekle stellen dort Zustnde zur Verfgung, die mit Elektronen geladen und entladen werden knnen. Verschiedenen Mglichkeiten der Einbettung der Molekle in ein Dielektrikum werden beschrieben. Die besten Resultate zeigen Schichten, die gewachsen werden, indem eine geringe Menge der Molekle (5% einer Monolage) in einer Ultrahochvakuum-Anlage thermisch auf einen Silizium-Wafer sublimiert und anschlieend in situ mit amorphen Silizium berwachsen wird. Der gesamte Schichtstapel wird dann bei niedriger Temperatur feucht oxidiert. Der Aufbau der Proben wird durch Rasterkraftmikroskopie, Rastertunnelmikroskopie und weitere analytische Messmethoden kontrolliert. Elektrische Messungen zeigen einen reversiblen nichtflchtigen Speichereffekt. Der Stromtransport durch das Oxid wird durch Tunnelstrommodelle beschrieben. Mit Hilfe dieser Modelle ist es danach mglich, den Mechanismus hinter dem Ladeffekt zu verstehen.