Inhalt
A Die physikalischen Grundlagen des Transistors.- I. Das Bändermodell der Halbleiter.- II. Raumladungsschichten bei inhomogener Störstellenkonzentration.- III. Elektronen- und Löcherströme in homogenen Halbleitern und durch pn-Übergänge.- IV. Allgemeine Theorie des Transistors.- Literaturverzeichnis zu Teil A.- B Die technologischen Grundlagen des Transistors.- I. Die Technologie des Halbleitermaterials.- II. Die Technologie von pn-Übergängen und Transistoren.- Literaturverzeichnis zu Teil B.- C Allgemeine Schaltungstheorie des Transistors.- Vorbemerkung.- Literaturverzeichnis zu Teil C.- D Physikalische und technische Eigenschaften der Transistoren.- I. Transistormeßtechnik.- II. Eigenschaften verschiedener Typen von Transistoren.- III. Spezielle Halbleiterbauelemente.- Literaturverzeichnis zu Teil D.- Namenverzeichnis.
A Die physikalischen Grundlagen des Transistors.- I. Das Bändermodell der Halbleiter.- II. Raumladungsschichten bei inhomogener Störstellenkonzentration.- III. Elektronen- und Löcherströme in homogenen Halbleitern und durch pn-Übergänge.- IV. Allgemeine Theorie des Transistors.- Literaturverzeichnis zu Teil A.- B Die technologischen Grundlagen des Transistors.- I. Die Technologie des Halbleitermaterials.- II. Die Technologie von pn-Übergängen und Transistoren.- Literaturverzeichnis zu Teil B.- C Allgemeine Schaltungstheorie des Transistors.- Vorbemerkung.- Literaturverzeichnis zu Teil C.- D Physikalische und technische Eigenschaften der Transistoren.- I. Transistormeßtechnik.- II. Eigenschaften verschiedener Typen von Transistoren.- III. Spezielle Halbleiterbauelemente.- Literaturverzeichnis zu Teil D.- Namenverzeichnis.
Titel
Der Transistor
Untertitel
Physikalische und technische Grundlagen
EAN
9783642861741
Format
E-Book (pdf)
Hersteller
Genre
Veröffentlichung
13.03.2013
Digitaler Kopierschutz
Wasserzeichen
Anzahl Seiten
426
Auflage
1963
Lesemotiv
Unerwartete Verzögerung
Ups, ein Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.