Die vorliegende Arbeit beschreibt die Entwicklung einer neuartigen Transistor-Peripherie fr Mikrowellen-Leistungstransistoren und den Entwurf von monolithischen Gallium-Arsenid- (GaAs-) und Gallium-Nitrid- (GaN-) Leistungsverstrkern im X-Band (8-12 GHz). Die neuartige Peripherie der Leistungstransistoren fhrt zu einer gleichmigeren Aussteuerung der einzelnen Transistorzellen. Hieraus resultiert eine hhere Verstrkung und Effizienz sowie eine bessere Linearitt, insbesondere im Frequenzbereich oberhalb von 10 GHz. Diese Verbesserung der Transistoreigenschaften kann bei linearen Verstrkern und bei Schaltverstrkern genutzt werden, sowohl bei Verwendung von Koplanar- als auch von Mikrostreifen-Technologie. Die hier vorgestellten Leistungsverstrker erreichen eine Ausgangsleistung von bis zu 16 W im X-Band bei einer Chipflche von nur 2,2 mm x 3,3 mm, was einen internationalen Rekord in Bezug auf die Leistung pro Chipflche darstellt. Derartige Verstrker erlauben eine kompaktere Gestaltung und ein geringeres Gewicht vieler Mikrowellen-Systeme, wie beispielsweise weltraumgesttzter Kommunikationseinrichtungen. Ebenso sind mit diesen Verstrkern neue Systemkonzepte, wie etwa Active Phased Arrays fr luftgesttzte RADAR-Anlagen, leichter oder erstmals realisierbar.