In dieser Arbeit konnten erfolgreich die transparenten Halbleiteroxide ITO und dotiertes ZnO durch die Pyrolyse metallorganischer Precursoren als nanoskalige Pulver hergestellt werden. ITO wurde, mit Hilfe einer erstmals zur Herstellung oxidischer Materialien genutzten, plasmauntersttzten Variante des CVS-Prozesses, als extrem kleine und schmal verteilte Partikel hergestellt. Auf der Suche nach kostengnstigen Alternativen zu ITO wurden dotierte ZnO-Pulver durch einen bei Atmosphrendruck ablaufenden CVS-Proze hergestellt. Die Prozefhrung bei Atmosphrendruck wurde erstmals im Fachgebiet Dnne Schichten durchgefhrt. Zustzlich konnte die fr Anwendungen interessante Option der Dispergierung der Partikel direkt whrend der Synthese realisiert werden. Auch fr ZnO-Pulver wurden schmale Verteilungen der Korngre bei mittleren Werten von 10–30 nm erzielt. Synthesetemperaturabhngig wurden die Gre, die Verteilungsbreite und die Zersetzung von undotierten nanokristallinen ZnO-Proben untersucht und charakterisiert. Temperaturen von 1300 C und hher hatten zunehmende negative Auswirkungen auf die Verteilungsbreite und die Ausbeute. Diese Resultate stellen neue Erkenntnisse in Hinsicht auf die in der Literatur bekannte Zersetzungstemperatur von 1800 C von ZnO dar. Die Gre der Krner zeigt generell eine leichte Abnahme mit abnehmender Synthesetemperatur. Es wurden Einflsse der Dotierelemente Al, Ga und In auf die Eigenschaften in ZnO Proben untersucht. Eine Abnahme der Korngre mit zunehmender Dotierung und zunehmender Abweichung der Ionenradien der Dotierelemente wurde festgestellt. Weiterhin wurde eine leichte Zunahme der Verteilungsbreite der Krner mit zunehmender Dotierelementkonzentration beobachtet.