Die vorliegende Dissertation spannt den Bogen von den Grundlagen der Spektroskopie von Galliumnitrid (GaN) bis hin zur Auflsung einzelner Kristallversetzungen und richtet sich so an all jene, die einen tieferen Einblick in die materialwissenschaftlichen und spektroskopischen Grundlagen dieses fr die Optoelektronik immer wichtiger werdenden Materials gewinnen wollen. Das Kerngebiet der Arbeit stellt die Mikrophotolumineszenz-Analyse von GaN mittels eines konfokalen Mikroskops dar. In freitragenden GaN-Schichten niedriger Versetzungsdichte lassen sich einzelne Kristallversetzungen nachweisen und spektroskopisch untersuchen. Durch die von ihnen hervorgerufene Verspannung ist es mglich Rckschlsse auf die Art der Versetzung selbst (Burgers-Vektor von Stufenversetzungen) zu ziehen, was bisher nur mit aufwndigen Messmethoden, wie der Transmissionselektronenmikroskopie mglich war. ber die Verspannungen sind, wie elastizittstheoretische Berechnungen in bereinstimmung mit den Messergebnissen zeigen, auch Wechselwirkungen von Versetzungen mglich, die zu Ordnungseffekten ber Mikrometer groe Distanzen fhren knnen. „Hochortsaufgelste Spektroskopie an Galliumnitrid“ umfasst jedoch auch eine umfangreiche Beschreibung des Materialsystems GaN und seiner spektroskopischen Eigenschaften, eine kurze Einfhrung in die Elastizittstheorie und detaillierte Beschreibungen und Tipps zur konfokalen Spektroskopie an GaN und bietet so auch Neueinsteigern in die Materie eine gute Einstiegslektre mit umfangreichen Literaturhinweisen.