Im blauen Spektralbereich emittierende LEDs auf dem AlGaInN-basierenden Materialsystem sind bereits kommerzialisiert und gut etabliert. Trotzdem weisen sie noch immer einen Nachteil auf: Das bevorzugt in Wurtzitstruktur ausgebildete Gruppe-III-Nitrid ist in der bislang am hufigsten fr die Kristallabscheidung genutzten c-Richtung polar. Die Polaritt wirkt sich dabei durch das anliegende piezoelektrische Feld aber insbesondere bei zunehmenden In-Anteil und dickeren Quantenfilmen negativ auf die optische Ausgangsleistung und die Effizienz aus, wie dies fr lngerwellige Emission (grner Spektralbereich) bentigt wird. In dieser Arbeit wurden solche schwach polaren Kristallebenen mit selektiver Epitaxie als schrge Seitenfacetten von GaN-Streifen mit dreieckigem Querschnitt hergestellt. Auf diese semi-polaren Kristallebenen wurde anschlieend die LED-Struktur abgeschieden. Nach dem Nachweis der prinzipiellen Funktion der LEDs wurden verschiedene Untersuchungen zum Nachweis des reduzierten Piezofeldes durchgefhrt. Dies waren insbesondere der Vergleich der Spektren mit einer regulren LED auf der polaren c -Ebene mit Lumineszenzmessungen in Bezug auf die durch den Quantum Confined Stark Effekt verursachte Rotverschiebung und die Anpassung der Prozessierung an die neuartigen LED-Strukturen um eine verbesserte Ausgangsleistung zu berprfen.