Inhalt
1 Einführung.- 1.1 Der Begriff Halbleiterdiode (Gliederung).- 1.2 Die Gruppe der injizierenden Dioden.- 1.3 Die Gruppe der nichtinjizierenden Dioden.- 2 Die PIN-Diode.- 2.1 Einleitung.- 2.2 Statische Kennlinie.- 2.3 Kleinsignalaussteuerung.- 2.4 Großsignalaussteuerung.- 2.5 Anwendungen der PIN-Diode.- 2.6 Technologischer Aufbau von PIN-Dioden.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Der Speichervaraktor.- 3.1 Einleitung.- 3.2 Schaltverhalten.- 3.3 Dynamisches Aussteuerungsmodell des realen Speichervaraktors.- 3.4 Betriebskenngrößen des Vervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.5 Funktionsmodell des Frequenzvervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.6 Grenzleistung und Konversionsverlust in Vervielfachern.- 3.7 Grenzfrequenzen.- 3.8 Technologie der Varaktordiode.- Literatur zu Kapitel 3.- 4 Der Sperrschichtvaraktor.- 4.1 Einleitung.- 4.2 Dotierungsprofil und Raumladungsweite.- 4.3 Kapazität als Funktion der Spannung.- 4.4 Kapazitätshub.- 4.5 Durchbruchspannung.- 4.6 Ersatzschaltbild und Güte.- 4.7 Temperaturverhalten.- 4.8 Anwendung von Kapazitätsdioden.- Literatur zu Kapitel 4.- 5 Der MIS-Varaktor.- 5.1 Struktur und Zustände des MIS-Varaktors.- 5.2 Quasistatisches Verhalten.- 5.3 Dynamisches Verhalten.- 5.4 Dotierungsabhängigkeit.- 5.5 Temperaturabhängigkeit.- 5.6 Anwendung.- Literatur zu Kapitel 5.- 6 Schottky-Diode.- 6.1 Einleitung.- 6.2 Metall-Halbleiter-Potentialbarrieren.- 6.3 Der stromdurehflossene Metall-Halbleiter-Kontakt.- 6.4 Ersatzschaltbild und Rauschen.- 6.5 Aufbau und Technologie der Schottky-Dioden.- 6.6 Anwendung von Schottky-Dioden.- Literatur zu Kapitel 6.- 7 Zener- und Lawinen-Diode (Z-Diode).- 7.1 Einführung.- 7.2 Gleichstromverhalten.- 7.3 Durchbruchsmechanismen.- 7.4 Stoßionisation (Lawinendiode).- 7.5 Feldemission (Zener-Diode).-7.6 Die Z-Diode als hybrides Bauelement zwischen Lawinen-und Zener-Diode.- 7.7 Technologische Designkriterien.- 7.8 Anwendung von Z-Dioden.- Literatur zu Kapitel 7.- 8 Anhang.- 8.1 Boltzmann-Gleichgewicht.- 8.2 Effektive Zustandsdichte.- 8.3 Boltzmann-Gleichgewicht und effektive Zustandsdichte beim Metall-Halbleiter-Übergang (thermionisches Emissionsmodell).- 8.4 Schottky-Approximation.- 8.5 Allgemeiner Lösungsansatz für die Großsignalanalyse bei injizierenden Dioden.- 8.6 Lebensdauer.
1 Einführung.- 1.1 Der Begriff Halbleiterdiode (Gliederung).- 1.2 Die Gruppe der injizierenden Dioden.- 1.3 Die Gruppe der nichtinjizierenden Dioden.- 2 Die PIN-Diode.- 2.1 Einleitung.- 2.2 Statische Kennlinie.- 2.3 Kleinsignalaussteuerung.- 2.4 Großsignalaussteuerung.- 2.5 Anwendungen der PIN-Diode.- 2.6 Technologischer Aufbau von PIN-Dioden.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Der Speichervaraktor.- 3.1 Einleitung.- 3.2 Schaltverhalten.- 3.3 Dynamisches Aussteuerungsmodell des realen Speichervaraktors.- 3.4 Betriebskenngrößen des Vervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.5 Funktionsmodell des Frequenzvervielfachers mit realem Speichervaraktor.- 3.6 Grenzleistung und Konversionsverlust in Vervielfachern.- 3.7 Grenzfrequenzen.- 3.8 Technologie der Varaktordiode.- Literatur zu Kapitel 3.- 4 Der Sperrschichtvaraktor.- 4.1 Einleitung.- 4.2 Dotierungsprofil und Raumladungsweite.- 4.3 Kapazität als Funktion der Spannung.- 4.4 Kapazitätshub.- 4.5 Durchbruchspannung.- 4.6 Ersatzschaltbild und Güte.- 4.7 Temperaturverhalten.- 4.8 Anwendung von Kapazitätsdioden.- Literatur zu Kapitel 4.- 5 Der MIS-Varaktor.- 5.1 Struktur und Zustände des MIS-Varaktors.- 5.2 Quasistatisches Verhalten.- 5.3 Dynamisches Verhalten.- 5.4 Dotierungsabhängigkeit.- 5.5 Temperaturabhängigkeit.- 5.6 Anwendung.- Literatur zu Kapitel 5.- 6 Schottky-Diode.- 6.1 Einleitung.- 6.2 Metall-Halbleiter-Potentialbarrieren.- 6.3 Der stromdurehflossene Metall-Halbleiter-Kontakt.- 6.4 Ersatzschaltbild und Rauschen.- 6.5 Aufbau und Technologie der Schottky-Dioden.- 6.6 Anwendung von Schottky-Dioden.- Literatur zu Kapitel 6.- 7 Zener- und Lawinen-Diode (Z-Diode).- 7.1 Einführung.- 7.2 Gleichstromverhalten.- 7.3 Durchbruchsmechanismen.- 7.4 Stoßionisation (Lawinendiode).- 7.5 Feldemission (Zener-Diode).-7.6 Die Z-Diode als hybrides Bauelement zwischen Lawinen-und Zener-Diode.- 7.7 Technologische Designkriterien.- 7.8 Anwendung von Z-Dioden.- Literatur zu Kapitel 7.- 8 Anhang.- 8.1 Boltzmann-Gleichgewicht.- 8.2 Effektive Zustandsdichte.- 8.3 Boltzmann-Gleichgewicht und effektive Zustandsdichte beim Metall-Halbleiter-Übergang (thermionisches Emissionsmodell).- 8.4 Schottky-Approximation.- 8.5 Allgemeiner Lösungsansatz für die Großsignalanalyse bei injizierenden Dioden.- 8.6 Lebensdauer.
Titel
Signalverarbeitende Dioden
Autor
EAN
9783642455315
Format
E-Book (pdf)
Hersteller
Veröffentlichung
13.03.2013
Digitaler Kopierschutz
Wasserzeichen
Dateigrösse
28.21 MB
Anzahl Seiten
226
Auflage
1982
Lesemotiv
Unerwartete Verzögerung
Ups, ein Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.